氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)器件采用pGaN架構,具備常關型特征,與相應的硅(Si)器件相比,具有低一個數量級的柵極電荷和輸出電荷,結合幾乎為零的反向恢復電荷,可以支持更簡單的拓撲結構,實現更高的系統效率。

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氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)器件采用pGaN架構,具備常關型特征,與相應的硅(Si)器件相比,具有低一個數量級的柵極電荷和輸出電荷,結合幾乎為零的反向恢復電荷,可以支持更簡單的拓撲結構,實現更高的系統效率。

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